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| Numero de parte | STV160NF02LAT4 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 160A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 175nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5500pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 210W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 80A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 10-PowerSO |
| Paquete / caja | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
En stock: 0
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
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Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
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Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
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