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| Numero de parte | STU7N65M2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | IPAK (TO-251) |
| Paquete / caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 600V IPAK
En stock: 91
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
En stock: 1485
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
En stock: 860
