Numero de parte | STU5N62K3 |
---|---|
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 620V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.2A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 50V |
Vgs (Max) | ±30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 70W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 2.1A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor | I-Pak |
Paquete / caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 600V IPAK
En stock: 91
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
En stock: 1485
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
En stock: 860