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| Numero de parte | STU5N60M2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.7A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 165pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.85A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 600V IPAK
En stock: 91
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
En stock: 1485
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
En stock: 860
