STMicroelectronics STP80N10F7

Numero de parte: STP80N10F7
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

STMicroelectronics

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Precio de referencia
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10 pcs
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100 pcs
1.00240/pcs
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0.77963/pcs
1,000 pcs
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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	STP80N10F7
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	80A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 40A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / caja	TO-220-3