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| Numero de parte | STP11N60DM2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 614pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N CH 100V 80A TO-220
En stock: 955
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB
En stock: 3851
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
En stock: 0
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Descripción: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
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Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 30V 80A TO220
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