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| Numero de parte | STH3N150-2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.5A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 29.3nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 939pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 Ohm @ 1.3A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | H²PAK |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6
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Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
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Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
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Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
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Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
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Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
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Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
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Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
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Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2
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