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| Numero de parte | STH160N4LF6-2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 181nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8130pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 60A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | H2Pak-2 |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
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