STMicroelectronics STFU6N65

Numero de parte: STFU6N65
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: N-CHANNEL 650 V, 1.2 OHM TYP., 4
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

STMicroelectronics

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
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10 pcs
0.77750/pcs
100 pcs
0.62495/pcs
500 pcs
0.48606/pcs
1,000 pcs
0.40274/pcs

Total:0.82000/pcs

Unit Price:

0.82000/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	STFU6N65
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	463pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	620mW (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7 Ohm @ 2A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220FP
Paquete / caja	TO-220-3 Full Pack