STMicroelectronics STD4NK80Z-1

Numero de parte: STD4NK80Z-1
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

STMicroelectronics

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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	STD4NK80Z-1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	22.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	575pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	I-Pak
Paquete / caja	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA