Numero de parte | MBR40200CT |
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Estado de la pieza | Active |
Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 900mV @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / caja | TO-220-3 |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 20V 400A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 20V 200A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 20V 400A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE SCHOTTKY 20V 200A 2 TOWER
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