Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - IGBT - Simple RJP65T54DPM-A0#T2

Renesas Electronics America RJP65T54DPM-A0#T2

Numero de parte
RJP65T54DPM-A0#T2
Fabricante
Renesas Electronics America
Descripción
IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - IGBT - Simple
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

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Total:2.20500/pcs Unit Price:
2.20500/pcs
Precio objetivo:
Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parte RJP65T54DPM-A0#T2
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 650V
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Corriente - colector pulsado (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.68V @ 15V, 30A
Potencia - Max 63.5W
Conmutación de energía 330µJ (on), 760µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta 72nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 35ns/120ns
Condición de prueba 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja SC-94
Paquete de dispositivo del proveedor TO-3PFP
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