renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.
| Numero de parte | RJK0305DPB-02#J0 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1250pF @ 10V |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 15A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | LFPAK |
| Paquete / caja | SC-100, SOT-669 |
Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK
En stock: 0
Fabricante: Renesas Electronics America
Descripción: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
En stock: 0
