Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados SMUN5112DW1T1G

ON Semiconductor SMUN5112DW1T1G

Numero de parte
SMUN5112DW1T1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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0.04775/pcs
Precio objetivo:
Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parte SMUN5112DW1T1G
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 22k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 22k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 250mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363
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