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| Numero de parte | NVMD4N03R2G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 20V |
| Potencia - Max | 2W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
En stock: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
En stock: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC
En stock: 0
