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| Numero de parte | NTLJS1102PTBG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 8V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.7A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 720mV @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 4V |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-WDFN (2x2) |
| Paquete / caja | 6-WDFN Exposed Pad |
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
En stock: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
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Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN
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Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
En stock: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
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Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
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Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
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Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
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