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| Numero de parte | NTD4815N-35G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.9A (Ta), 35A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 11.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14.1nC @ 11.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 12V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 30A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | I-Pak |
| Paquete / caja | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
En stock: 2500
