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| Numero de parte | NTB25P06T4G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 27.5A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1680pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 120W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 25A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
En stock: 1600
