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| Numero de parte | NGTD17T65F2SWK |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | Trench Field Stop |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 650V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | - |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Potencia - Max | - |
| Conmutación de energía | - |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | - |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | - |
| Condición de prueba | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | Die |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Die |
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
En stock: 20763
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
En stock: 22784
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
En stock: 55385
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
En stock: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
En stock: 27717
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
En stock: 20828
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: DIODE GEN PURP 650V DIE
En stock: 28198
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
En stock: 10718
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
En stock: 25077
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
En stock: 3585
