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| Numero de parte | MURH860CT |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 4A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.8V @ 4A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 35ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 600V 100A 2TOWER
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