Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados MUN5114DW1T1G

ON Semiconductor MUN5114DW1T1G

Numero de parte
MUN5114DW1T1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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En Stock $ Cantidad de piezas

  • Precio de referencia

    (En dólares estadounidenses)

  • 1 pcs

    0.02354/pcs

  • 3,000 pcs

    0.02222/pcs

  • 6,000 pcs

    0.01932/pcs

  • 15,000 pcs

    0.01642/pcs

  • 30,000 pcs

    0.01545/pcs

  • 75,000 pcs

    0.01449/pcs

  • 150,000 pcs

    0.01288/pcs
Total:0.02354/pcs Unit Price:
0.02354/pcs		 Precio objetivo:
 Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parte MUN5114DW1T1G
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 10k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 47k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 250mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363
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