Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados MMUN2212LT1G

ON Semiconductor MMUN2212LT1G

Numero de parte
MMUN2212LT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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En Stock $ Cantidad de piezas

  • Precio de referencia

    (En dólares estadounidenses)

  • 1 pcs

    0.01148/pcs

  • 3,000 pcs

    0.01044/pcs

  • 6,000 pcs

    0.00942/pcs

  • 15,000 pcs

    0.00819/pcs

  • 30,000 pcs

    0.00737/pcs

  • 75,000 pcs

    0.00655/pcs

  • 150,000 pcs

    0.00546/pcs
Total:0.01148/pcs Unit Price:
0.01148/pcs		 Precio objetivo:
 Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parte MMUN2212LT1G
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 22k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 22k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 246mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
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