provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numero de parte | JANTXV2N5003 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 80V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 50µA |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 2.5A, 5V |
| Potencia - Max | 2W |
| Frecuencia - Transición | - |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
| Paquete / caja | TO-210AA, TO-59-4, Stud |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-59 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
En stock: 87
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
En stock: 100
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 39
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
En stock: 36
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
En stock: 4
