Numero de parte | JANTX2N4857 |
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Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
Tipo de FET | N-Channel |
Voltaje - avería (V (BR) GSS) | 40V |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 100mA @ 15V |
Drenaje actual (Id) - Max | - |
Voltaje - Corte (VGS apagado) @ Id | 6V @ 500pA |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V (VGS) |
Resistencia - RDS (Encendido) | 40 Ohm |
Potencia - Max | 360mW |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / caja | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-18 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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