Numero de parte | JAN1N5616US |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corriente - promedio rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 3A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 2µs |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 500nA @ 400V |
Capacitancia @ Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | SQ-MELF, A |
Paquete de dispositivo del proveedor | D-5A |
Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 200°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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