Numero de parte | JAN1N4106-1 |
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Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - Max | 500mW |
Impedancia (Máx.) (Zzt) | 200 Ohm |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 50nA @ 9.2V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 200mA |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete de dispositivo del proveedor | DO-35 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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