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| Numero de parte | APTML10UM09R004T1AG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 154A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9875pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 480W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 69.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SP1 |
| Paquete / caja | SP1 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
En stock: 12
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 100V 154A SP1
En stock: 0
