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| Numero de parte | APTM100A46FT1G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 19A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 552 mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
| Potencia - Max | 357W |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | SP1 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SP1 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
En stock: 4
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
En stock: 46
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6
En stock: 0
