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| Numero de parte | APTC90DAM60CT1G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 59A |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 6mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 540nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | Super Junction |
| Disipación de potencia (Máx) | 462W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 52A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SP1 |
| Paquete / caja | SP1 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 900V 59A SP1
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 900V 59A SP1
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
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