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| Numero de parte | APTC60HM70RT3G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 39A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 39A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 2.7mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 259nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7000pF @ 25V |
| Potencia - Max | 250W |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / caja | SP3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SP3 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6
En stock: 10
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2
En stock: 12
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
En stock: 5
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
En stock: 10
