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| Numero de parte | APT60GA60JD60 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | PT |
| Configuración | Single |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 112A |
| Potencia - Max | 356W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 275µA |
| Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 8.01nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ISOTOP® |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
En stock: 4
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
En stock: 2
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
En stock: 3
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
En stock: 15
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
En stock: 25
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
En stock: 375
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
En stock: 0
