Numero de parte | APT60DQ120BG |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) | 60A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 3.3V @ 60A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | 320ns |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitancia @ Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / caja | TO-247-2 |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
En stock: 4
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
En stock: 2
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
En stock: 3
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
En stock: 15
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
En stock: 25
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
En stock: 375
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
En stock: 0