Numero de parte | APT102GA60L |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de IGBT | PT |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 600V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 183A |
Corriente - colector pulsado (Icm) | 307A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A |
Potencia - Max | 780W |
Conmutación de energía | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Cargo de puerta | 294nC |
Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 28ns/212ns |
Condición de prueba | 400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V |
Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / caja | TO-264-3, TO-264AA |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-264 [L] |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 3
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
En stock: 7
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
En stock: 30