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| Numero de parte | MUR4100GP-TP |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 4A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.85V @ 4A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 75ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 100V |
| Capacitancia @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | DO-201AD, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-201AD |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 50V 400A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 50V 400A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 200V 400A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 200V 400A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 400V 400A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 400V 400A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 600V 400A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descripción: DIODE MODULE 600V 400A 2TOWER
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