IXYS IXTP1R6N50D2

Numero de parte: IXTP1R6N50D2
Fabricante: IXYS
Descripción: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

IXYS

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
1.26000/pcs
10 pcs
1.13950/pcs
100 pcs
0.91575/pcs
500 pcs
0.71225/pcs
1,000 pcs
0.59015/pcs

Total:1.26000/pcs

Unit Price:

1.26000/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IXTP1R6N50D2
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.6A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	23.7nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	645pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	Depletion Mode
Disipación de potencia (Máx)	100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 Ohm @ 800mA, 0V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / caja	TO-220-3