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| Numero de parte | IXFN100N10S1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 360W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 500mA, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-227B |
| Paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
Fabricante: IXYS
Descripción: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
En stock: 85
Fabricante: IXYS
Descripción: MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227
En stock: 19
Fabricante: IXYS
Descripción: MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
En stock: 88
Fabricante: IXYS
Descripción: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
En stock: 300
Fabricante: IXYS
Descripción: 850V/110A ULT JUNCT X-CLASS HIPE
En stock: 2
