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| Numero de parte | IXFH10N100Q |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247AD (IXFH) |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
