Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Arreglos GWM100-01X1-SLSAM

IXYS GWM100-01X1-SLSAM

Numero de parte
GWM100-01X1-SLSAM
Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
IXYS

IXYS

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Parámetro del producto
Numero de parte GWM100-01X1-SLSAM
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 90A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Potencia - Max -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 17-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor ISOPLUS-DIL™
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