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| Numero de parte | SPD100N03S2L04T |
|---|---|
| Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 89.7nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3320pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-5 |
| Paquete / caja | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
En stock: 0
