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| Numero de parte | SPA21N50C3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 560V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 34.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO220-FP |
| Paquete / caja | TO-220-3 Full Pack |
Fabricante: Serious Integrated Inc.
Descripción: PROGRAMMING ADAPTER 200
En stock: 10
Fabricante: Bergquist
Descripción: SILPAD A2000 0.015" 10"X12"
En stock: 0
Fabricante: Bergquist
Descripción: SILPAD A2000 W/ADHESIVE
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220FP
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP
En stock: 0
Fabricante: Cornell Dubilier Electronics (CDE)
Descripción: CAP ALUM POLY 220UF 20% 4V SMD
En stock: 0
Fabricante: Cornell Dubilier Electronics (CDE)
Descripción: CAP ALUM POLY 220UF 20% 4V SMD
En stock: 0
Fabricante: Cornell Dubilier Electronics (CDE)
Descripción: CAP ALUM POLY 220UF 20% 2.5V SMD
En stock: 0
