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| Numero de parte | PTFA192001EV4R0XTMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de transistor | LDMOS |
| Frecuencia | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| Ganancia | 15.9dB |
| Voltaje - Prueba | 30V |
| Valoración actual | 10µA |
| Figura de ruido | - |
| Actual - Prueba | 1.6A |
| Salida de potencia | 200W |
| Voltaje - Clasificación | 65V |
| Paquete / caja | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
| Paquete de dispositivo del proveedor | H-36260-2 |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: IC RF POWER TRANSISTOR
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: IC RF FET LDMOS H-36260-2
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: FET RF 65V 1.96GHZ H-36260-2
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: FET RF 65V 1.96GHZ H-36260-2
En stock: 0
