Numero de parte | IRF9910 |
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Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A, 12A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
Potencia - Max | 2W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB
En stock: 1656
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
En stock: 2695
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
En stock: 800
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
En stock: 1008
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
En stock: 22400
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
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