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| Numero de parte | IRF8513PBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A, 11A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 766pF @ 15V |
| Potencia - Max | 1.5W, 2.4W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
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