Numero de parte | IRF1010NPBF |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 85A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3210pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 180W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 43A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / caja | TO-220-3 |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB
En stock: 1656
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
En stock: 1008
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
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