Infineon Technologies IPW60R040C7XKSA1

Numero de parte: IPW60R040C7XKSA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
5.97000/pcs
10 pcs
5.68650/pcs
100 pcs
4.83360/pcs
500 pcs
4.12276/pcs

Total:5.97000/pcs

Unit Price:

5.97000/pcs

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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IPW60R040C7XKSA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	50A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1.24mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	107nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4340pF @ 400V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 24.9A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO247-3
Paquete / caja	TO-247-3