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| Numero de parte | IPW50R190CE |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18.5A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 13V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 510µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 47.2nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1137pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | Super Junction |
| Disipación de potencia (Máx) | 127W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 6.2A, 13V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 550V 23A TO-247
En stock: 336
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247
En stock: 477
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 550V 17A TO-247
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 500V 13A TO-247
En stock: 1668
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247
En stock: 422
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 560V 9A TO-247
En stock: 0
