Infineon Technologies IPU60R1K5CEAKMA1

Numero de parte: IPU60R1K5CEAKMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 600V TO-251-3
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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Parámetro del producto

Numero de parte	IPU60R1K5CEAKMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.1A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 90µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	9.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 100V
Vgs (Max)	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO251-3
Paquete / caja	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA