Infineon Technologies IPP80R1K2P7XKSA1

Numero de parte: IPP80R1K2P7XKSA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
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10 pcs
0.73350/pcs
100 pcs
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0.44966/pcs
1,000 pcs
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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IPP80R1K2P7XKSA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO220-3
Paquete / caja	TO-220-3