Numero de parte | IPP065N04N G |
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Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 68W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 50A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO-220-3 |
Paquete / caja | TO-220-3 |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH TO220-3
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH TO220-3
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 75V 120A TO220
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
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Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH TO220-3
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