Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Simple IPP065N04N G

Infineon Technologies IPP065N04N G

Numero de parte
IPP065N04N G
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Parámetro del producto
Numero de parte IPP065N04N G
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 50A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 20V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / caja TO-220-3
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