Infineon Technologies IPD30N06S215ATMA2

Numero de parte: IPD30N06S215ATMA2
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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Numero de parte	IPD30N06S215ATMA2
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	30A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 80µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1485pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.7 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-11
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63